Transistors. Page 114 sur 114. Avtronic

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Transistors

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2377 articles disponibles

Affichage 21 articles: TIP42C à VN0606MA (Page 114 sur 114)

Transistor TIP42C

1.96€ TTC

101 En stock

Transistor bipolaire PNP 100V 6A. Boîtier: TO-220. Tension collecteur-émetteur maxi: 100V. Courant de collecteur maxi: 6A. Puissance: 65W. Fréquence maxi: 3MHz. Paire: TIP41C.

Tarifs dégressifs

Transistor TIP50

2.18€ TTC

40 En stock

Transistor bipolaire NPN 500/400V 1A. Boîtier: TO-220. Tension collecteur-émetteur maxi: 400V. Vceo (IB=0): 400V. Vcbo: 500V. Courant de collecteur maxi: 1A. Ic(puls): 2A. Puissance: 40W. Fréquence maxi: 10MHz. Vce(sat): 1V. Gain Hfe mini: 30. Gain Hfe maxi: 150.

Tarifs dégressifs

Transistor TK20J50D

22.96€ TTC

18 En stock

Transistor TK20J50D N-MOS 500V 20A IDp:80A 280W 0.22R. Field Effect POWER MOS Type (MOSVII). Switching Regulator Applications. Constructeur: TOS. Boîtier: TO-3P. td(on)100nS. td(off)150nS. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 20 A

Tarifs dégressifs

Transistor TK6A60D

7.62€ TTC

4 En stock

Transistor TK6A60D N-MOS 600V 6A IDp:24A 40W 1R SW-Reg.. Field Effect (TT-MOSVI). Switch Regulator. Constructeur: TOS. Boîtier: TO-220F (TK6A60D-Q). Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6 A

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N TK6A65D

3.42€ TTC

111 En stock

Transistor MOSFET canal-N 650V 6A/24Ap 45W. Résistance passante RDSon : 0.95 Ohms

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N TK7P60W

8.12€ TTC

1884 En stock

Transistor MOSFET canal-N. Montage en surface (CMS). 600V 7A/28Ap 60W. Résistance passante RDSon : 0.50 Ohms

Tarifs dégressifs

Transistor TN2404KL

3.70€ TTC

1881 En stock

Transistor TN2404KL N-MOS 240V 0.3A 0.8W<2.3R TO92. (D-S) MOSFET. Logic Level. Constructeur: VISHAY. Boîtier: TO-92. Tension de Drain maxi: 240 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 0.3 A. Rds (Ohms): 2.3. Puissance: 0.8 W

Tarifs dégressifs

Transistor TPC8303

16.58€ TTC

2 En stock

Double transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 30V. Courant de drain maxi: 4.5A. Puissance: 1.5W. Résistance passante: 0.027 Ohms. Boîtier: CMS SO-8

Tarifs dégressifs

Transistor TT2062

12.77€ TTC

2 En stock

Transistor NPN TT2062 1500/800V 18A/35Ap. 85W tf:0.2uS. Vce maxi: 800 V. Courant de collecteur maxi: 18 A. Boîtier: Ultrahigh-Hor.Deflection CRT Display. High-Speed. Constructeur: SANYO TO-3PMLH. VEBO: 5V. VCE(sat) 3V. Tension collecteur/base maxi: 1500 V

Tarifs dégressifs

Transistor TT2140

6.55€ TTC

35 En stock

Transistor NPN TT2140. SI-N+DR 800/800V 6A 30W 0.3uS. Vce maxi: 800 V. Courant de collecteur maxi: 6 A. Boîtier: TO-220FI. Vce(sat)3V. Vbe(sat)1.5V. Constructeur: SAN. Rbe: van. hFE: 5-10. Diode de protection collecteur/émetteur intégrée.

Tarifs dégressifs

Transistor TT2140LS

14.90€ TTC

1 En stock

Transistor NPN+DR 1500/800V 6A/15Ap 30W 0.3uS CTV-HA

Tarifs dégressifs

Transistor TT2190LS

6.61€ TTC

26 En stock

Transistor NPN TT2190LS. SI-N+DR 1500/800V 8A 35W 0.3uS. Vce maxi: 800 V. Courant de collecteur maxi: 8 A. hfe: 5-10. Vce(sat)3V. Vbe(sat)1.5V. Constructeur: SAN. Rbe: van. TO-220FI. Diode de protection collecteur/émetteur intégrée.

Tarifs dégressifs

Transistor TT2206

14.90€ TTC

71 En stock

Transistor NPN TT2206 1600/800V 10A 65W tf.0.2uS. Vce maxi: 800 V. Courant de collecteur maxi: 10 A. Constructeur: SAN. TT2206-YD TO-3PML. Tension collecteur/base maxi: 1600 V. Puissance: 65 W

Tarifs dégressifs

Transistor UMH2N

5.15€ TTC

34 En stock

N-FET DUAL 50V , 50V, 40V,

Tarifs dégressifs

Transistor UMH9N

3.19€ TTC

5 En stock

N-FET DUAL 150mW,SC-88

Tarifs dégressifs

Transistor UN2110

3.25€ TTC

3 En stock

Transistor PNP UN2110. SI-P+R 50V 0.1A Rb=47K. Vce maxi: 50 V. Courant collecteur maxi: 0.1 A. Boîtier: CMS. Constructeur: MAT. Résistance de polarisation base/émetteur intégrée

Tarifs dégressifs

Transistor UN2112

3.42€ TTC

6 En stock

Transistor PNP UN2112. SI-P+R 50V 0.1A Rb=22K Rbe=22K. Vce maxi: 50 V. Courant collecteur maxi: 0.1 A. Boîtier: CMS. 0.2W. Constructeur: MAT. Marquage CMS: 6B. Résistance de polarisation base/émetteur intégrée

Tarifs dégressifs

Transistor UN2114

1.85€ TTC

33 En stock

Transistor PNP UN2114. SI-P+R 50V 0.1A Rb=10K Rbe=47K. Vce maxi: 50 V. Courant collecteur maxi: 0.1 A. Boîtier: CMS. 0.2W. Constructeur: MAT. Marquage CMS: 6D. Résistance de polarisation base/émetteur intégrée

Tarifs dégressifs

Transistor UN4111

2.52€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor bipolaire PNP. Tension collecteur-émetteur maxi: 50V. Courant collecteur maxi: 0.1A. 0.3W. Résistance de polarisation base/émetteur intégrée (Rb=10K, Rbe=10K).

Tarifs dégressifs

Transistor UN6213

1.79€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor NPN UN6213. SI-N+R 50V 0.1A Rb=47K Rbe=47K. Vce maxi: 50 V. Courant de collecteur maxi: 0.1 A. Constructeur: MAT. Résistance de polarisation base/émetteur intégrée

Tarifs dégressifs

Transistor VN0606MA

19.21€ TTC

1 En stock

Transistor VN0606MA N-MOS 60V 0.47A 1W <3R TO-237. V-MOS. MOS-N-FET. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 0.47 A. Rds (Ohms): 3. Puissance: 1 W

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Transistor TIP42C

Transistor bipolaire PNP 100V 6A. Boîtier: TO-220. Tension collecteur-émetteur maxi: 100V. Courant de collecteur maxi: 6A. Puissance: 65W. Fréquence maxi: 3MHz. Paire: TIP41C.

Transistor TIP50

Transistor bipolaire NPN 500/400V 1A. Boîtier: TO-220. Tension collecteur-émetteur maxi: 400V. Vceo (IB=0): 400V. Vcbo: 500V. Courant de collecteur maxi: 1A. Ic(puls): 2A. Puissance: 40W. Fréquence maxi: 10MHz. Vce(sat): 1V. Gain Hfe mini: 30. Gain Hfe maxi: 150.

Transistor TK20J50D

Transistor TK20J50D N-MOS 500V 20A IDp:80A 280W 0.22R. Field Effect POWER MOS Type (MOSVII). Switching Regulator Applications. Constructeur: TOS. Boîtier: TO-3P. td(on)100nS. td(off)150nS. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 20 A

Transistor TK6A60D

Transistor TK6A60D N-MOS 600V 6A IDp:24A 40W 1R SW-Reg.. Field Effect (TT-MOSVI). Switch Regulator. Constructeur: TOS. Boîtier: TO-220F (TK6A60D-Q). Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6 A

Transistor MOSFET canal-N TK6A65D

Transistor MOSFET canal-N 650V 6A/24Ap 45W. Résistance passante RDSon : 0.95 Ohms

Transistor MOSFET canal-N TK7P60W

Transistor MOSFET canal-N. Montage en surface (CMS). 600V 7A/28Ap 60W. Résistance passante RDSon : 0.50 Ohms

Transistor TN2404KL

Transistor TN2404KL N-MOS 240V 0.3A 0.8W<2.3R TO92. (D-S) MOSFET. Logic Level. Constructeur: VISHAY. Boîtier: TO-92. Tension de Drain maxi: 240 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 0.3 A. Rds (Ohms): 2.3. Puissance: 0.8 W

Transistor TPC8303

Double transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 30V. Courant de drain maxi: 4.5A. Puissance: 1.5W. Résistance passante: 0.027 Ohms. Boîtier: CMS SO-8

Transistor TT2062

Transistor NPN TT2062 1500/800V 18A/35Ap. 85W tf:0.2uS. Vce maxi: 800 V. Courant de collecteur maxi: 18 A. Boîtier: Ultrahigh-Hor.Deflection CRT Display. High-Speed. Constructeur: SANYO TO-3PMLH. VEBO: 5V. VCE(sat) 3V. Tension collecteur/base maxi: 1500 V

Transistor TT2140

Transistor NPN TT2140. SI-N+DR 800/800V 6A 30W 0.3uS. Vce maxi: 800 V. Courant de collecteur maxi: 6 A. Boîtier: TO-220FI. Vce(sat)3V. Vbe(sat)1.5V. Constructeur: SAN. Rbe: van. hFE: 5-10. Diode de protection collecteur/émetteur intégrée.

Transistor TT2140LS

Transistor NPN+DR 1500/800V 6A/15Ap 30W 0.3uS CTV-HA

Transistor TT2190LS

Transistor NPN TT2190LS. SI-N+DR 1500/800V 8A 35W 0.3uS. Vce maxi: 800 V. Courant de collecteur maxi: 8 A. hfe: 5-10. Vce(sat)3V. Vbe(sat)1.5V. Constructeur: SAN. Rbe: van. TO-220FI. Diode de protection collecteur/émetteur intégrée.

Transistor TT2206

Transistor NPN TT2206 1600/800V 10A 65W tf.0.2uS. Vce maxi: 800 V. Courant de collecteur maxi: 10 A. Constructeur: SAN. TT2206-YD TO-3PML. Tension collecteur/base maxi: 1600 V. Puissance: 65 W

Transistor UMH2N

N-FET DUAL 50V , 50V, 40V,

Transistor UMH9N

N-FET DUAL 150mW,SC-88

Transistor UN2110

Transistor PNP UN2110. SI-P+R 50V 0.1A Rb=47K. Vce maxi: 50 V. Courant collecteur maxi: 0.1 A. Boîtier: CMS. Constructeur: MAT. Résistance de polarisation base/émetteur intégrée

Transistor UN2112

Transistor PNP UN2112. SI-P+R 50V 0.1A Rb=22K Rbe=22K. Vce maxi: 50 V. Courant collecteur maxi: 0.1 A. Boîtier: CMS. 0.2W. Constructeur: MAT. Marquage CMS: 6B. Résistance de polarisation base/émetteur intégrée

Transistor UN2114

Transistor PNP UN2114. SI-P+R 50V 0.1A Rb=10K Rbe=47K. Vce maxi: 50 V. Courant collecteur maxi: 0.1 A. Boîtier: CMS. 0.2W. Constructeur: MAT. Marquage CMS: 6D. Résistance de polarisation base/émetteur intégrée

Transistor UN4111

Transistor bipolaire PNP. Tension collecteur-émetteur maxi: 50V. Courant collecteur maxi: 0.1A. 0.3W. Résistance de polarisation base/émetteur intégrée (Rb=10K, Rbe=10K).

Transistor UN6213

Transistor NPN UN6213. SI-N+R 50V 0.1A Rb=47K Rbe=47K. Vce maxi: 50 V. Courant de collecteur maxi: 0.1 A. Constructeur: MAT. Résistance de polarisation base/émetteur intégrée

Transistor VN0606MA

Transistor VN0606MA N-MOS 60V 0.47A 1W <3R TO-237. V-MOS. MOS-N-FET. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 0.47 A. Rds (Ohms): 3. Puissance: 1 W

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